中國粉體網(wǎng)訊  近日，山西天成半導(dǎo)體材料有限公司宣布重大技術(shù)突破：繼第二季度研制出12英寸N型碳化硅單晶材料后，又依托自主研發(fā)的12英寸碳化硅長晶設(shè)備成功研制出12英寸高純半絕緣碳化硅單晶材料，12英寸N型碳化硅單晶材料晶體有效厚度突破35mm厚，標(biāo)志著公司在大尺寸碳化硅材料領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力再上新臺階。

來源：天成半導(dǎo)體

目前，天成半導(dǎo)體已完全掌握12英寸高純半絕緣與N型碳化硅單晶生長的雙成熟工藝，且其自研長晶設(shè)備可穩(wěn)定產(chǎn)出直徑達(dá)350mm的單晶材料。

作為第三代半導(dǎo)體的核心材料，碳化硅由碳、硅元素組成，具備高硬度、耐高壓、耐高頻、高熱導(dǎo)性、高溫穩(wěn)定性及高折射率等優(yōu)異物理化學(xué)性能，是推動多行業(yè)降本增效的關(guān)鍵材料。在應(yīng)用場景中，碳化硅正加速推動半導(dǎo)體行業(yè)變革，同時在新能源汽車、充電樁、光伏儲能、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)快速滲透；在 AR 眼鏡等新興領(lǐng)域，其憑借高折射率與高熱導(dǎo)率兩大核心特性，還能系統(tǒng)性解決視場角窄、彩虹偽影及散熱難題，展現(xiàn)出高成長潛力。

公開資料顯示，山西天成半導(dǎo)體有限公司成立于2021年8月，是一家專注于第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）襯底材料研發(fā)、生產(chǎn)及晶體生長裝備制造的高新技術(shù)企業(yè)。公司現(xiàn)已形成了碳化硅單晶爐制造、碳化硅粉料制備、碳化硅單晶生長和襯底制備等完整的生產(chǎn)線，公司不斷迭代產(chǎn)品工藝，在大尺寸、低成本量產(chǎn)方面實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破，率先研發(fā)出可量產(chǎn)的8-12英寸導(dǎo)電型和半絕緣型碳化硅單晶材料。

天成半導(dǎo)體稱，公司將繼續(xù)聚焦大尺寸碳化硅單晶材料的產(chǎn)業(yè)化技術(shù)，以先進(jìn)成熟的工藝能力為基石，致力于為客戶提供碳化硅材料生產(chǎn)中高品質(zhì)、高可靠性的“裝備+耗材+工藝服務(wù)”一體化解決方案。

參考來源：天成半導(dǎo)體

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/初末）

注：圖片非商業(yè)用途，存在侵權(quán)告知刪除！