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特斯拉大砍SiC,GaN替補上位?
中國粉體網(wǎng)訊 碳化硅(SiC)作為第三代半導體材料,適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件,一度被視為新能源汽車領域的理想材料。特斯拉,曾打響SiC上車的第一槍。2011年,科銳(現(xiàn)Wolfspeed)公司推出全球首款SiC MOSFET。5年后,特斯拉發(fā)布第四款車型Model 3,該車型的主逆變器安裝了24個意法半導體(ST)公司生產(chǎn)的SiC MOSFET功率模塊。搭載24個SiC MOSFET功率模塊的Model 3主逆變器(來源:NE時代)此后,SiC不僅成為半導體廠商激烈涌進的熱門賽道,也在全球新能源車市場加速上車。不過轉過頭來,特斯拉在今年的投資者日活動上表示,為進一步降低車輛成本,計劃在下一代電動汽車動力系統(tǒng)..【詳細】
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