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IDONUS,氫氟酸氣相蝕刻系
IDONUS,氫氟酸氣相蝕刻系

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瑞士

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皕赫科學(xué)儀器(上海)有限公司

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Hydrofluoric Acid Vapor Phase Etcher

氫氟酸氣相蝕刻系統(tǒng)

MEMS領(lǐng)域設(shè)備:準(zhǔn)干法氫氟酸氣相蝕刻系統(tǒng),4“、6”、8“范圍適用。

氫氟酸蝕刻二氧化硅是微電子行業(yè)中的一道傳統(tǒng)工藝,多以濕法為主,但是濕法工藝容易造成硅表面自然氧化層無法完全去除,進(jìn)而影響金屬和硅的歐姆接觸。

本氫氟酸氣相蝕刻是一套準(zhǔn)干法工藝設(shè)備,通過對(duì)基底的加熱,晶圓表面的水分可以很好的控制。由

于晶圓完全不與液體接觸,可以進(jìn)行無粘著MEMS釋放。

特點(diǎn):

安全酸處理

可重復(fù)利用HF

晶圓夾緊機(jī)構(gòu)

適于各種尺寸的晶圓

無需安裝(裝置在濕法酸工作臺(tái)中使用)

上部向下晶圓蝕刻

背面保護(hù)

低運(yùn)行成本

應(yīng)用

無粘著MEMS釋放

結(jié)構(gòu)減薄

SOI基底上的結(jié)構(gòu)免切割釋放

蝕刻速率從0到10 μm/hour可調(diào)(無粘著)

單面二氧化硅蝕刻(蝕刻過程背面保護(hù))

4英寸產(chǎn)品型號(hào):VPE100

6英寸產(chǎn)品型號(hào):VPE150

8英寸產(chǎn)品型號(hào):VPE200

蝕刻液:50%HF有機(jī)溶液

蝕刻速率:2-30 μm/hour

加熱溫度:35-60℃

反應(yīng)室溫度控制

在反應(yīng)室內(nèi),二氧化硅的腐蝕速率隨液體HF的溫度略有變化。氫氟酸的溫度取決于潔凈室的環(huán)境溫度。此外,在長(zhǎng)時(shí)間的蝕刻過程中,HF會(huì)被加熱,導(dǎo)致晶圓之間的蝕刻速率增加,直到系統(tǒng)穩(wěn)定下來。為了穩(wěn)定腐蝕速率,我們?cè)谌萜髦虚_發(fā)了一個(gè)溫度可控的HF反應(yīng)室。高頻的溫度可以通過附加的控制器來調(diào)節(jié)。

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