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美國k-Space公司kSA400 RHEED圖像分析系統(tǒng)（kSA 400 Analytical RHEED System），適合各種RHEED系統(tǒng)和薄膜沉積系統(tǒng)（如：脈沖激光沉積設(shè)備PLD，濺射系統(tǒng)Sputtering，分子束外延MBE， 金屬有機化學(xué)氣象沉積MOCVD等）！目前第四代系統(tǒng)結(jié)合優(yōu)質(zhì)的硬件和功能強大的軟件為客戶提供廣泛的RHEED分析信息。

全球超過500個用戶，國內(nèi)如南京大學(xué)、中科院半導(dǎo)體所、電子部11所、中國科技大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、上海技術(shù)物理研究所等；

技術(shù)參數(shù)：

CCD系統(tǒng)：高速、高分辨和高靈敏度

光學(xué)系統(tǒng)：RHEED定量分析及成像分析

標(biāo)準(zhǔn)接口法蘭

主要特點：

-圖像分析：單一圖像分析（靜態(tài)分析）模式，用戶選擇多圖像模式，聚焦模式（實時剖面、表面區(qū)域形貌、表面等高分析），掃描模式，錄像模式，交互圖像疊加模式，2D和3D圖像分析；

-多個衍射特性實時顯示分析，在薄膜生長、退火等過程中；

-實時薄膜生長速率監(jiān)控、晶格間距和表面均勻性分析

-原位表面診斷分析

-功能強大的軟件分析功能

-RHEED振蕩追蹤檢測

-包含鎖相外延生長（PLE）、低能電子衍射（LEED）、俄歇電子能譜/光電子能譜（Auger/XPS）等可選功能；