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Si ATR棱鏡

光學(xué)級(jí)硅通常規(guī)定為具有5至40ohm-cm的電阻率，其電阻率比大多數(shù)半導(dǎo)體的都高。 更高的電阻率材料可客戶(hù)定制，特別是對(duì)于TeraHertz應(yīng)用。通常的材料為CZ，其在9μm具有Si-O吸收帶，因此如果在3至5μm光譜帶中使用該窗口，則此性質(zhì)不重要。 如果需要FZ，可以提供沒(méi)有這種吸收的浮區(qū)材料。

硅主要用作3至5um波段的光學(xué)窗口并用作光學(xué)濾波器的制片基底。 具有拋光面的大塊硅也用作物理實(shí)驗(yàn)中的中子靶。

硅通過(guò)Czochralski拉伸技術(shù)（CZ）生長(zhǎng)并且包含一些導(dǎo)致9um的吸收帶的氧。 為了避免這種情況，硅可以通過(guò)浮區(qū)（FZ）工藝制備。 光學(xué)硅通常輕摻雜（5~40 Ohm cm），以在10um以上的波段**透射。 硅具有30至100um的另一通帶，其僅在非常高電阻率的未補(bǔ)償材料中有效。 摻雜通常是硼（p型）和磷（n型）。

詳細(xì)參數(shù)：

透射范圍：1.2?15μm（1）

折射率： 3.4223 @5μm（1）（2）

反射損耗： 46.2％（5μm）（2個(gè)表面）

吸收系數(shù)： 0.01cm ^-1 at 3μm

吸收峰： n / a

dn / dT： 160×10^-6 /℃（3）

dn /dμ= 0： 10.4μm

密度： 2.33g / cc

熔點(diǎn)： 1420℃

熱導(dǎo)率： 273.3W m^-1 K^-1

熱膨脹： 2.6×10 ^-6 /℃at20℃

硬度： Knoop 1150

比熱容： 703JKg^-1K^-1

介電常數(shù)： 13 at 10GHz

楊氏模量（E）： 131GPa（4）

剪切模量（G）： 79.9GPa（4）

體積模量（K）： 102GPa

彈性系數(shù)： C11 = 167; C12 = 65; C44 = 80（4）

表觀(guān)彈性極限： 124.1MPa（18000 psi）

泊松比： 0.266（4）

溶解性：不溶于水

分子量： 28.09

類(lèi)別/結(jié)構(gòu)： 立方鉆，Fd3m

折射率：

No = Ordinary Ray

訂購(gòu)信息：

產(chǎn)品型號(hào): SICZPRISM52-20-2-45

IR Polished Silicon (Si) ATR prism (Attenuated Total Reflection)

52 x 20 x 2mm 45° ATR prism.

梯形

產(chǎn)品型號(hào): SICZPRISM80-10-4-45

IR Polished Silicon (Si) ATR prism (Attenuated Total Reflection)

80 x 10 x 4mm 45° ATR prism.

梯形