參考價(jià)格
面議型號(hào)
Insitec干法/濕法/噴霧式品牌
馬爾文帕納科產(chǎn)地
英國(guó)樣本
暫無(wú)誤差率:
Dv(50)±2%,使用驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)粒子板分辨率:
N/A重現(xiàn)性:
N/A儀器原理:
靜態(tài)光散射分散方式:
N/A測(cè)量時(shí)間:
N/A測(cè)量范圍:
0.1μm - 2500μm看了馬爾文帕納科在線粒度儀Insitec的用戶又看了
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Insitec系統(tǒng)具有在線連續(xù)粒度分析的功能,可進(jìn)行高效且具成本效益的工業(yè)工藝監(jiān)控。 其適用的工藝流范圍廣泛,從干粉到溫度又高又粘的漿料,再到噴霧及乳劑,無(wú)論每小時(shí)處理的材料量是幾毫克還是幾百噸,該系統(tǒng)均能得心應(yīng)手。 Insitec系統(tǒng)的測(cè)量粒度范圍是0.1 μm至2500 μm。
Insitec系列儀器堅(jiān)固的結(jié)構(gòu)以及其運(yùn)用的激光衍射技術(shù),迎合了工藝過(guò)程連續(xù)測(cè)量對(duì)分析儀器的嚴(yán)格要求,諸如:研磨、分級(jí)、噴霧干燥、霧化、過(guò)濾和造粒等各種環(huán)境,已成為大多數(shù)顆粒加工行業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)裝備,包括調(diào)色劑、制藥、水泥、礦物、粉末涂料、碳素、乳化、顏料和金屬粉末等。
Insitec系列分析儀、工藝接口、粒度分析軟件、自動(dòng)控制和數(shù)據(jù)報(bào)告均可定制化,以滿足您的特定需求。
Insitec干法
可在苛刻工業(yè)環(huán)境中使用的Insitec干式顆粒粒度分析儀,采用激光衍射技術(shù)測(cè)量0.1 μm至2500 μm的顆粒粒度。 Insitec干式分析儀通過(guò)選件進(jìn)行配置,適合各種實(shí)際的干式顆粒工藝,提供24小時(shí)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)與控制,可用于:
粉塵區(qū)域危險(xiǎn)環(huán)境
氣體或粉塵區(qū)域危險(xiǎn)環(huán)境
移動(dòng)式應(yīng)用
研磨材料
制藥工藝
Insitec濕法
可在苛刻工業(yè)環(huán)境中使用的Insitec濕式顆粒粒度分析儀,采用激光衍射技術(shù)測(cè)量乳劑、懸浮劑及漿液中0.1 μm至2500 μm的顆粒粒度。 Insitec濕式分析儀通過(guò)選件進(jìn)行配置,適合各種實(shí)際的濕式顆粒工藝,提供24小時(shí)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)與控制,可用于:
氣體或粉塵區(qū)域危險(xiǎn)環(huán)境
全自動(dòng)濃度控制
制藥工藝
自定義配置
合作解決方案
Insitec噴霧法
工業(yè)化設(shè)計(jì),Insitec 噴霧型使用激光衍射發(fā)適用于測(cè)量0.1微米-2500微米的液滴和顆粒。 具有24小時(shí)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)及控制功能的Insitec噴霧式分析儀甚至還可測(cè)量高濃度噴霧及氣溶膠。 使用選件靈活配置,簡(jiǎn)化工藝安裝,可用于:
按要求量身定制的配置
粉末流
制藥工藝
24小時(shí)在線連續(xù)粒度分析
隨著動(dòng)力電池和新能源汽車的需求爆發(fā),鋰電正極材料也正在快速迭代,其中三元材料逐漸成為動(dòng)力電池的主流選擇。目前三元材料中的鎳鈷錳成分分析多采用ICP分析方法,化學(xué)分析過(guò)程相對(duì)復(fù)雜、分析時(shí)間長(zhǎng)、梯度稀釋誤
2021-08-06
展期:2025年6月24日-26日展館:上海新國(guó)際博覽中心W5館地址:上海市浦東新區(qū)龍陽(yáng)路2345號(hào)展位號(hào):W5P10W5P10 馬爾文帕納科展位效果圖2025年6月24日至26日,馬爾文帕納科(Ma
XRD(X 射線衍射)高通量測(cè)試是一種能在短時(shí)間內(nèi)對(duì)大量樣品進(jìn)行快速分析的技術(shù),其發(fā)展與應(yīng)用主要源于傳統(tǒng) XRD 測(cè)試在面對(duì)復(fù)雜樣品體系和大規(guī)模分析需求時(shí)的局限性。馬爾文帕納科最新推出了Aeris高容
本文摘要新款激光粒度儀- Mastersizer 3000+的推出,為對(duì)粒度分析感興趣的科學(xué)家和研究人員的研究工作提供了許多新的可能。但當(dāng)您想將方法從MS 3000轉(zhuǎn)移到MS 3000+時(shí),可能會(huì)產(chǎn)生
本文摘要SiC端面傾角度數(shù)會(huì)影響晶體生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)、界面特性和器件的電場(chǎng)分布,決定了SiC功率器件的性能,傾角控制精度已從“工藝參數(shù)”升級(jí)為“核心競(jìng)爭(zhēng)力”,本文將介紹4°傾角及其方向的重要性,以及馬爾文帕
本文由馬爾文帕納科XRD應(yīng)用專家陳辰供稿本文摘要PLSR 偏最小二乘回歸(Partial Least Squares Regression)是一種常用于處理多重共線性數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)建模方法。用于XRD定量
本文由馬爾文帕納科粒度應(yīng)用專家劉曉華供稿本文摘要對(duì)于病毒的研制和生產(chǎn),了解不同階段的病毒濃度,以優(yōu)化克隆或生產(chǎn)產(chǎn)量是很重要的。DLS(動(dòng)態(tài)光散射)技術(shù)可用于病毒開(kāi)發(fā),以測(cè)量藥物物質(zhì)或用于篩選功能,將良