推薦中科院成功制備8英寸碳化硅晶體

中國粉體網(wǎng)訊 近期，中科院物理研究所科研人員通過優(yōu)化生長工藝，改善晶體結晶質量，成功制備單一4H晶型的8英寸碳化硅(SiC)晶體，并加工出厚度約2mm的8英寸SiC晶片，實現(xiàn)了國產(chǎn)大尺寸碳化硅單晶襯底的突破。中科院方面表示，[更多]