推薦功率器件的新歡與舊愛：SiC MOSFET與Si IGBT

中國粉體網訊 現(xiàn)代功率半導體技術飛速發(fā)展至今，硅基功率半導體器件性能已逼近其材料極限。Si IGBT作為主流的硅基功率開關器件，其具有低導通損耗及低成本的優(yōu)勢，但高開關損耗限制了其在高開關頻率、高功率密度變換器中的應用。作為[更多]