推薦功率器件的新歡與舊愛：SiC MOSFET與Si IGBT

中國(guó)粉體網(wǎng)訊 現(xiàn)代功率半導(dǎo)體技術(shù)飛速發(fā)展至今，硅基功率半導(dǎo)體器件性能已逼近其材料極限。Si IGBT作為主流的硅基功率開關(guān)器件，其具有低導(dǎo)通損耗及低成本的優(yōu)勢(shì)，但高開關(guān)損耗限制了其在高開關(guān)頻率、高功率密度變換器中的應(yīng)用。作為[更多]