国产精品久久久久久爽爽爽,变态拳头交视频一区二区,国产高清在线精品一区二区三区,国产福利一区二区三区在线视频 ,国产极品久久久久久久久

SiC單晶

推薦SiC晶體外延生長(zhǎng)的“奧秘”

中國粉體網(wǎng)訊 與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同,SiC功率器件不能直接制作在SiC單晶材料上,必須在導(dǎo)通型SiC單晶襯底上使用外延技術(shù)生長(zhǎng)出高質(zhì)量的外延材料,然后在外延層上制造各類器件。之所以不直接在SiC襯底上制造SiC器件,[更多]

資訊 SiC單晶第三代半導(dǎo)體SiC器件SiC外延技術(shù)SiC外延片
|
中國粉體網(wǎng)
1892 點(diǎn)擊1892

更多相關(guān)

突破8N!這家企業(yè)的SiC粉體純度刷新行業(yè)記錄

突破8N!這家企業(yè)的SiC粉體純度刷新行業(yè)記錄

2327 點(diǎn)擊2327
碳化硅越復(fù)雜,好技術(shù)越關(guān)鍵!

碳化硅越復(fù)雜,好技術(shù)越關(guān)鍵!

3193 點(diǎn)擊3193
SiC邁進(jìn)12英寸!三家企業(yè)正布局

SiC邁進(jìn)12英寸!三家企業(yè)正布局

3823 點(diǎn)擊3823
又一國內(nèi)企業(yè)實(shí)現(xiàn)8英寸SiC關(guān)鍵技術(shù)突破

又一國內(nèi)企業(yè)實(shí)現(xiàn)8英寸SiC關(guān)鍵技術(shù)突破

4549 點(diǎn)擊4549
2024 碳化硅“卷”出新高度

2024 碳化硅“卷”出新高度

7221 點(diǎn)擊7221
液相法SiC有何最新進(jìn)展?

液相法SiC有何最新進(jìn)展?

7792 點(diǎn)擊7792
第三代半導(dǎo)體用“四高兩涂”材料現(xiàn)狀

第三代半導(dǎo)體用“四高兩涂”材料現(xiàn)狀

6554 點(diǎn)擊6554
小小耗材成第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域新賽道?

小小耗材成第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域新賽道?

8910 點(diǎn)擊8910
中晶芯源:8英寸SiC單晶和襯底項(xiàng)目正式備案

中晶芯源:8英寸SiC單晶和襯底項(xiàng)目正式備案

7367 點(diǎn)擊7367
2023年中國碳化硅功率器件十強(qiáng)企業(yè)榜單

2023年中國碳化硅功率器件十強(qiáng)企業(yè)榜單

31207 點(diǎn)擊31207
+ 加載更多