推薦液相法SiC有何最新進展？

中國粉體網(wǎng)訊 目前SiC單晶的生長方法主要包括以下三種：物理氣相傳輸法、高溫化學氣相沉積法、液相法。70年代PVT法的技術突破，液相法逐漸被邊緣化。如今，由于PVT法在制造大尺寸SiC晶體和降低成本方面遇到挑戰(zhàn)，液相法重新引[更多]