推薦鍵合技術(shù)：SiC襯底降本新技術(shù)！

中國粉體網(wǎng)訊 SiC是目前最具潛力的第三代半導(dǎo)體，但因其生產(chǎn)難度大、良率低，生產(chǎn)過程中會形成大量廢片，導(dǎo)致SiC普及率相對較低。而直接鍵合技術(shù)可以通過鍵合將SiC的良片與廢片鍵合形成復(fù)合SiC襯底，顯著提升SiC襯底片的可用[更多]