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科友半導(dǎo)體開(kāi)展“完美八英寸碳化硅籽晶”項(xiàng)目


來(lái)源:科友半導(dǎo)體

[導(dǎo)讀]  科友半導(dǎo)體與俄羅斯N公司在哈爾濱簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,開(kāi)展“八英寸碳化硅完美籽晶”的項(xiàng)目合作。

中國(guó)粉體網(wǎng)訊  2024年3月27日,科友半導(dǎo)體與俄羅斯N公司在哈爾濱簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,開(kāi)展“八英寸碳化硅完美籽晶”的項(xiàng)目合作。



科友半導(dǎo)體長(zhǎng)期致力于碳化硅長(zhǎng)晶裝備研制和工藝技術(shù)研發(fā),有豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),八英寸電阻爐已在高端制造領(lǐng)域得到高度認(rèn)可并被廣泛應(yīng)用。俄羅斯N公司在晶體缺陷密度控制有著豐富的研究經(jīng)驗(yàn),在相關(guān)領(lǐng)域發(fā)表高水平文章及期刊百余篇。


通過(guò)與俄羅斯N公司的合作,科友半導(dǎo)體將研發(fā)獲得“無(wú)微管,低位錯(cuò)”完美籽晶,應(yīng)用品質(zhì)優(yōu)異的籽晶進(jìn)行晶體生長(zhǎng),會(huì)進(jìn)一步大幅降低八英寸碳化硅晶體內(nèi)部的微管、位錯(cuò)等缺陷密度,從而提高晶體生長(zhǎng)的質(zhì)量和良率,并推動(dòng)碳化硅長(zhǎng)晶爐體及工藝技術(shù)的優(yōu)化與升級(jí)。雙方將長(zhǎng)期友好合作,發(fā)揮各方的技術(shù)優(yōu)勢(shì),共同推進(jìn)八英寸碳化硅晶體生長(zhǎng)良率提升以及晶體缺陷降低。本次簽約儀式的圓滿(mǎn)完成,標(biāo)志著科友半導(dǎo)體與俄羅斯N合作進(jìn)入了嶄新的階段。


(中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/空青)

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