中國(guó)粉體網(wǎng)訊 據(jù)晶越半導(dǎo)體官微宣布，公司繼2025年上半年成功量產(chǎn)8英寸碳化硅襯底后，公司持續(xù)投入并不斷加大研發(fā)力度，并在熱場(chǎng)設(shè)計(jì)、籽晶粘接、厚度提升以及缺陷控制方面不斷調(diào)整和優(yōu)化工藝，在7月21日研制出高品質(zhì)12英寸SiC晶錠，標(biāo)志晶越成功進(jìn)入12英寸SiC襯底梯隊(duì)。也標(biāo)志著晶越半導(dǎo)體成為國(guó)內(nèi)少數(shù)掌握大尺寸碳化硅晶體生長(zhǎng)核心技術(shù)的企業(yè)之一。
浙江晶越半導(dǎo)體有限公司成立于2020年7月，位于浙江省紹興嵊州市經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)，主要聚焦于6-8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底材料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售。
▶2020年6月，當(dāng)?shù)厥薪?jīng)開(kāi)區(qū)與溢起投資合伙企業(yè)、高冰博士團(tuán)隊(duì)在上海正式簽署“晶越碳化硅晶圓項(xiàng)目”三方投資協(xié)議書(shū)。該項(xiàng)目共分三期，總投資達(dá)100億元，一期投產(chǎn)后將具備月產(chǎn)1500片碳化硅晶圓能力；
▶2021年7月，浙江紹興市生態(tài)環(huán)境局受理晶越碳化硅項(xiàng)目環(huán)評(píng)文件。據(jù)介紹，該項(xiàng)目一期擬投資約1.35億元，年產(chǎn)1.2萬(wàn)片6英寸SiC晶片。
▶2022年6月，晶越半導(dǎo)體完成完成B輪融資，領(lǐng)投方為紅杉資本等，此輪融資估值達(dá)1.35億元。
當(dāng)前，12英寸碳化硅晶圓的研發(fā)突破與規(guī)�；a(chǎn)能力，已成為評(píng)估第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)綜合競(jìng)爭(zhēng)力的核心指標(biāo)，這一趨勢(shì)正驅(qū)動(dòng)著眾多行業(yè)廠商加速布局該領(lǐng)域。目前國(guó)內(nèi)已成功研制12英寸碳化硅襯底的主要企業(yè)：
天岳先進(jìn)
2025年3月25日在上海舉辦的亞洲化合物半導(dǎo)體大會(huì)上，天岳先進(jìn)攜全球首發(fā)的全系列12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品登場(chǎng)，包括12英寸高純半絕緣型碳化硅襯底、12英寸導(dǎo)電P型及12英寸導(dǎo)電N型碳化硅襯底。其中，12英寸高純碳化硅襯底、12英寸P型碳化硅襯底為全球首展。
在產(chǎn)品方面，12英寸產(chǎn)品，在產(chǎn)品面積上較8英寸持續(xù)擴(kuò)大，單片晶圓芯片產(chǎn)出量躍升2.5倍，尺寸擴(kuò)大有效降低單位成本，是行業(yè)發(fā)展的必然趨勢(shì)。應(yīng)用領(lǐng)域方面，天岳先進(jìn)表示碳化硅產(chǎn)品的技術(shù)裂變也將助力新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、智能電網(wǎng)、5G基站等多種高壓應(yīng)用場(chǎng)景，催生AR眼鏡、衛(wèi)星通信及低空經(jīng)濟(jì)等多重新興領(lǐng)域蓬勃發(fā)展，助力萬(wàn)物互聯(lián)時(shí)代的算力革命。
爍科晶體
2024年12月26日，山西爍科晶體有限公司成功研制出12英寸（300mm）高純半絕緣碳化硅單晶襯底，并同期研制成功12英寸（300mm）N型碳化硅單晶襯底。這是全球首次實(shí)現(xiàn)300 mm半絕緣SiC晶圓，標(biāo)志著超大尺寸SiC晶體生長(zhǎng)和缺陷控制取得突破。
目前該公司12英寸襯底仍處于實(shí)驗(yàn)室樣品階段，但這一里程碑式成果表明其在大直徑晶體擴(kuò)徑工藝、低缺陷密度生長(zhǎng)等方面達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，為后續(xù)產(chǎn)業(yè)化奠定了基礎(chǔ)。
天科合達(dá)
天科合達(dá)在上海 Semicon China 2025展會(huì)上舉行新品發(fā)布儀式，正式推出了12英寸“熱沉級(jí)”碳化硅襯底（heat sink級(jí)襯底）等多款創(chuàng)新產(chǎn)品。目前，12英寸產(chǎn)品處于研發(fā)/試產(chǎn)階段，公司計(jì)劃2025年下半年推出12英寸光學(xué)級(jí)SiC襯底產(chǎn)品，并于2026年實(shí)現(xiàn)8英寸光學(xué)級(jí)襯底的小批量量產(chǎn)，用于AR光波導(dǎo)等新興領(lǐng)域。
同光半導(dǎo)體
同光半導(dǎo)體在12英寸產(chǎn)品方面尚在研發(fā)驗(yàn)證階段，SEMICON China展會(huì)上展示了直徑12英寸的導(dǎo)電型SiC晶錠（高度20+ mm）和10英寸導(dǎo)電型襯底樣品。此前2023年已拉制出8英寸導(dǎo)電型晶體樣品，8英寸襯底技術(shù)攻關(guān)取得進(jìn)展。
目前，同光股份已建成從原料合成、晶體生長(zhǎng)、襯底加工，到晶片檢測(cè)國(guó)際先進(jìn)，完整的碳化襯底生產(chǎn)線。同光股份下設(shè)三個(gè)工廠：保定同光晶體工廠，淶源工廠，保定同光新材料工廠，總計(jì)規(guī)劃70萬(wàn)片產(chǎn)能，其中保定同光新材料工廠只啟用了一期，總計(jì)有超過(guò)100萬(wàn)片產(chǎn)能的空間。
晶盛機(jī)電
2025年5月12日，晶盛機(jī)電子公司浙江晶瑞Super SiC宣布，成功實(shí)現(xiàn)12英寸導(dǎo)電型碳化硅（SiC）單晶生長(zhǎng)，首顆晶體直徑達(dá)309mm且質(zhì)量完好。
浙江晶瑞SuperSiC基于自主研發(fā)的SiC單晶生長(zhǎng)爐以及持續(xù)迭代升級(jí)的8-12英寸長(zhǎng)晶工藝，經(jīng)過(guò)多年的技術(shù)攻關(guān)，創(chuàng)新晶體生長(zhǎng)溫場(chǎng)設(shè)計(jì)及氣相原料分布工藝，成功攻克12英寸SiC晶體生長(zhǎng)中的溫場(chǎng)不均、晶體開(kāi)裂等核心難題，實(shí)現(xiàn)了12英寸超大尺寸晶體生長(zhǎng)的重要突破。當(dāng)前12英寸晶體尚處研發(fā)試制階段，但該突破將有助于降低未來(lái)晶圓制造成本，推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC材料在功率電子等領(lǐng)域的規(guī)�；瘧�(yīng)用。
南砂晶圓
2025年5月8日，南砂晶圓在重慶舉行的行業(yè)大會(huì)上首次公開(kāi)展示了12英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底實(shí)物，成功攻克大尺寸碳化硅襯底制備難題。
同時(shí)，南砂晶圓還成功實(shí)現(xiàn)了近“零螺位錯(cuò)”密度和低基平面位錯(cuò)密度的8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶襯底制備。12英寸襯底的成功展示標(biāo)志公司研發(fā)步入新的臺(tái)階，雖然仍屬樣品階段，但為后續(xù)大尺寸襯底的產(chǎn)業(yè)化奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
來(lái)源：晶越半導(dǎo)體
