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半導(dǎo)體行業(yè)薄膜沉積設(shè)備腔室清潔終點(diǎn)檢測解決方案

四方光電(武漢)儀器有限公司  2025-05-09  點(diǎn)擊898次

1. 腔室清潔終點(diǎn)精確控制的重要性與挑戰(zhàn)

薄膜沉積(如CVD/ALD)、光刻和刻蝕是半導(dǎo)體制造的三大核心工藝,其中薄膜沉積作為基礎(chǔ)環(huán)節(jié),負(fù)責(zé)金屬、介質(zhì)及半導(dǎo)體薄膜的制備。為確保薄膜沉積工藝的穩(wěn)定性,需定期使用NF?對腔室進(jìn)行清潔,以去除積聚的聚合物材料。

精確控制清潔終點(diǎn)至關(guān)重要:

l  清潔不足:殘留沉積物會形成顆粒污染,導(dǎo)致產(chǎn)品良率下降

l   過度清潔:增加NF?消耗、延長設(shè)備停機(jī)時間并縮短腔室壽命。

傳統(tǒng)方法依賴經(jīng)驗(yàn)時間控制清潔終點(diǎn),但最佳清潔時間受多變量影響(如沉積厚度、溫度、壓力、氣體流量及材料化學(xué)組成),且這些參數(shù)可能隨時間漂移。因此,多數(shù)工藝會延長清潔時間以確保清潔,但這也造成了資源浪費(fèi)。

 

2. 腔室清潔終點(diǎn)副產(chǎn)物氣體檢測方法的基本理論

腔室清潔的原理是NF?與沉積物反應(yīng)生成氣體(如SiF?)后通過泵排出。清潔過程中,SiF?分壓會經(jīng)歷以下變化:

l  初始階段:SiF?分壓急劇上升;

l  清潔完成:分壓回落至基線水平。

Johnson等(2004)提出通過質(zhì)譜儀實(shí)時監(jiān)測SiF?分壓來確定清潔終點(diǎn)。由于氣體排出存在滯后,終點(diǎn)定義為SiF?濃度曲線后沿漸近線與基線水平線的交點(diǎn)(圖1)。近年來,紅外氣體傳感器因其實(shí)時性和可靠性,已成為主流檢測手段。

配圖_畫板 1 

圖1 用于確定清潔終點(diǎn)時間的SiF?濃度曲線Johnson et al. 2004

 

3. 腔室清潔終點(diǎn)檢測設(shè)備的國產(chǎn)化替代需求

2025年3月5日,國務(wù)院總理在《政府工作報(bào)告》中強(qiáng)調(diào)“以科技創(chuàng)新推動關(guān)鍵核心技術(shù)自主可控",半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)被列為國家戰(zhàn)略支柱。然而,半導(dǎo)體設(shè)備關(guān)鍵部件長期依賴歐美日廠商,紅外氣體傳感器等核心零部件面臨斷供風(fēng)險(xiǎn)。國產(chǎn)化替代不僅是技術(shù)自主的必然要求,更是保障產(chǎn)業(yè)鏈安全的關(guān)鍵舉措。

 

4. 解決方案

四方儀器作為紅外氣體傳感器制造商,針對薄膜沉積設(shè)備清潔終點(diǎn)檢測需求,推出Gasboard-2060 SiF?紅外氣體傳感器。

配圖-02 

圖2 Gasboard-2060 SiF?紅外氣體傳感器

 

4.1 技術(shù)優(yōu)勢

l  雙光束紅外(NDIR)技術(shù):采用電調(diào)制光源和集成雙通道探測器,顯著提升抗干擾能力;

l  環(huán)境適應(yīng)性:通過參考通道補(bǔ)償溫度、濕度及交叉氣體干擾,確保測量穩(wěn)定性;

l  高精度:量程0~200 mTorr,準(zhǔn)確度≤±1.0% F.S.,響應(yīng)時間T90≤2秒。

配圖-03 

圖3 Gasboard-2060 SiF?紅外氣體傳感器光學(xué)結(jié)構(gòu)

 

4.2 產(chǎn)品性能

實(shí)驗(yàn)室測試顯示,傳感器的線性準(zhǔn)確度(圖4、響應(yīng)時間(圖4、重復(fù)性和檢出限均滿足CVD腔室清潔的實(shí)時監(jiān)測需求。

 

表1 Gasboard-2060 SiF?紅外氣體傳感器的技術(shù)參數(shù)

測量原理

NDIR

測量氣體

SiF?、CF4、SF6、NF3、CO2

量程范圍

0~200 mTorr

準(zhǔn)確度

≤±1.0% F.S.

重復(fù)性

≤±0.5% F.S.

檢出限(3σ

≤±0.5% F.S.

響應(yīng)時間(T90)

≤2s

 


配圖-04 

圖4 Gasboard-2060 SiF?紅外氣體傳感器的線性檢查與響應(yīng)時間檢查

 

4.3 應(yīng)用案例

實(shí)際測試中,Gasboard-2060在重復(fù)清潔過程中表現(xiàn)出較高的穩(wěn)定性(圖6)??蛻舴答伷湫阅芤堰_(dá)到或超越進(jìn)口產(chǎn)品,成功實(shí)現(xiàn)清潔終點(diǎn)的精準(zhǔn)控制,助力CVD設(shè)備技術(shù)升級。

配圖-05 

圖5 CVD腔室結(jié)構(gòu)及紅外傳感器測量點(diǎn)

 

配圖-06 

圖6 CVD設(shè)備2次重復(fù)腔室清潔試驗(yàn)的Gasboard-2060 SiF?實(shí)測數(shù)據(jù)曲線