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6吋電阻法碳化硅晶體生長設備 UK-T6品牌
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電阻法碳化硅晶體生長設備UK-T6
1、**解決了感應爐徑向溫度梯度大的技術難點，可實現(xiàn)徑向溫度梯度小和軸向溫度梯度可控，晶體內部缺陷少， 良率高、重復性好；
2、與傳統(tǒng)工藝長達7-14天的晶體生長周期相比，UKING ERH SiC RV4.0設備晶體生長速度更快，整個過程可控制在7天之內；
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