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高真空多靶磁控濺射鍍膜系統(tǒng) JCP500品牌
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設(shè)備主要技術(shù)參數(shù)：
1.真空腔室
Ф500×H420mm，304優(yōu)質(zhì)不銹鋼，前開門結(jié)構(gòu)；
2.真空系統(tǒng)
復(fù)合分子泵+直聯(lián)旋片泵+高真空閥門組合的高真空系統(tǒng)，數(shù)顯復(fù)合真空計；
3.真空極限
6.0×10-5Pa（設(shè)備空載抽真空24小時）；
4.漏率
設(shè)備升壓率≤0.8Pa/h；
設(shè)備保壓：停泵12小時候后，真空≤10Pa；
5.抽速
(空載）從大氣抽至5.0×10-3Pa≤15min；
6.基片臺尺寸
Φ150mm范圍內(nèi)可裝卡各種規(guī)格基片；
7.基片臺旋轉(zhuǎn)與加熱
基片旋轉(zhuǎn)：0～20轉(zhuǎn)/分鐘；
加熱:室溫～500±1℃，可控可調(diào)，日本島電PID智能溫控閉環(huán)控溫；
8.濺射靶
配置3套3英寸永磁共焦磁控濺射靶（濺射靶角度、高度可調(diào)）；
磁控靶RF、MF、DC兼容，可以濺射磁性材料，
磁控靶配有氣動擋板結(jié)構(gòu)；
暫無數(shù)據(jù)！
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