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Wafer XRD用于全自動(dòng)晶圓揀選、生產(chǎn)和質(zhì)量控制
特點(diǎn)
適用于3到8寸晶圓。也可根據(jù)要求提供其他尺寸
FOUP、載具或單個(gè)晶圓臺(tái)
跨槽晶圓識(shí)別為可選功能
易于集成到任何工藝生產(chǎn)線中
測(cè)量速度：每個(gè)樣品＜10秒
典型標(biāo)準(zhǔn)偏差（傾斜度）：例如Si 100＜0.003°
MES和SECS/GEM接口
銅靶微焦點(diǎn)風(fēng)冷X射線光管（**30W）或細(xì)焦點(diǎn)水冷X射線光管（**1.5kW）
完全符合CE標(biāo)準(zhǔn)的安全控制裝置
通過3色燈塔指示狀
材料
Si、SiC、GaAs、GaN、藍(lán)寶石（Al?O?）、Ge、AIN、石英、InP和100s等。
可選插件
電阻率測(cè)量范圍：0.01至0.020Ωcm
自動(dòng)識(shí)別晶圓數(shù)據(jù)矩陣碼、二維碼、條形碼或類似代碼
未拋光晶圓和鏡面的距離測(cè)量
年產(chǎn)1,000,000片晶圓
暫無(wú)數(shù)據(jù)！
隨著動(dòng)力電池和新能源汽車的需求爆發(fā)，鋰電正極材料也正在快速迭代，其中三元材料逐漸成為動(dòng)力電池的主流選擇。目前三元材料中的鎳鈷錳成分分析多采用ICP分析方法，化學(xué)分析過程相對(duì)復(fù)雜、分析時(shí)間長(zhǎng)、梯度稀釋誤
2021-08-06
XRF在鋰電正極材料元素分析中的應(yīng)用 水泥和似水泥物（混合材）體系水化過程的X射線衍射分析 馬爾文帕納科綜合樣本手冊(cè) 
活動(dòng)回顧近日，第十八屆藥機(jī)展（PMEC 2025 ）在上海新國(guó)際博覽中心落下帷幕，馬爾文帕納科攜麥克默瑞提克在此次展會(huì)所展示的顆粒、粉體等先進(jìn)表征技術(shù)備受業(yè)內(nèi)人士關(guān)注。稍顯遺憾的是很多行業(yè)
展期：2025年6月24日-26日展館：上海新國(guó)際博覽中心W5館地址：上海市浦東新區(qū)龍陽(yáng)路2345號(hào)展位號(hào)：W5P10W5P10 馬爾文帕納科展位效果圖2025年6月24日至26日，馬爾文帕納科（Ma
XRD（X 射線衍射）高通量測(cè)試是一種能在短時(shí)間內(nèi)對(duì)大量樣品進(jìn)行快速分析的技術(shù)，其發(fā)展與應(yīng)用主要源于傳統(tǒng) XRD 測(cè)試在面對(duì)復(fù)雜樣品體系和大規(guī)模分析需求時(shí)的局限性。馬爾文帕納科最新推出了Aeris高容
粒度儀數(shù)據(jù)反映顆粒的大小分布，而分形維數(shù)則是對(duì)這種分布背后 “形態(tài)復(fù)雜性” 的量化。通過計(jì)算分形維數(shù)，能從傳統(tǒng)粒度分析中挖掘出更深層的結(jié)構(gòu)信息，為理解顆粒的形成機(jī)制、優(yōu)化制備工藝、預(yù)測(cè)性能提供重要依據(jù)
本文摘要SiC端面傾角度數(shù)會(huì)影響晶體生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)、界面特性和器件的電場(chǎng)分布，決定了SiC功率器件的性能，傾角控制精度已從“工藝參數(shù)”升級(jí)為“核心競(jìng)爭(zhēng)力”，本文將介紹4°傾角及其方向的重要性，以及馬爾文帕
本文由馬爾文帕納科XRD應(yīng)用專家陳辰供稿本文摘要PLSR 偏最小二乘回歸（Partial Least Squares Regression）是一種常用于處理多重共線性數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)建模方法。用于XRD定量
Wafer XRD的工作原理介紹？Wafer XRD的使用方法？Wafer XRD多少錢一臺(tái)？Wafer XRD使用的注意事項(xiàng)Wafer XRD的說(shuō)明書有嗎？Wafer XRD的操作規(guī)程有嗎？Wafer XRD的報(bào)價(jià)含票含運(yùn)費(fèi)嗎？Wafer XRD有現(xiàn)貨嗎？Wafer XRD包安裝嗎？
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