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鈣鈦礦太陽能電池蒸發(fā)設(shè)備ZHDS500品牌
北京泰科諾產(chǎn)地
北京樣本
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設(shè)備型號:ZHDS500
鍍膜方式:金屬 + 有機蒸發(fā)
真空腔室結(jié)構(gòu):SUS304 方箱式,配有前、后門
真空腔室尺寸:L500mmxW500mmxH650mm
加熱溫度:室溫-300℃(選配)
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磁控濺射設(shè)備的主要用途:1.功能性薄膜:具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜;2.裝飾領(lǐng)域:各種全反射膜及半透明膜等;3.微電子領(lǐng)域:在微電子領(lǐng)域作為一種非熱式鍍膜技術(shù),主要應(yīng)用在化學氣相沉積
什么是鈣鈦礦鈣鈦礦(perovskite),這個有點拗口的名字取自俄羅斯礦物學家Perovski,作為光伏材料的鈣鈦礦,實際上和鈣、鈦、礦三個字都沒太大關(guān)系,這是一類與鈣鈦礦(CaTiO3)晶體結(jié)構(gòu)類
熱絲CVD采用高溫下的低壓氣相反應(yīng),碳氫化合物在高溫下發(fā)生化學反應(yīng),生成膜先驅(qū)物,當樣品溫度合適時,這些膜先驅(qū)物在樣品表面沉積形成金剛砂膜。低壓化學氣相沉積形成的膜層厚度及成分較為均勻,膜層致密。CV
多晶硅和單晶硅都是半導體材料,是電子工業(yè)中非常重要的材料,但它們的制備工藝、物理性質(zhì)以及應(yīng)用領(lǐng)域有所不同。晶體是由原子、離子或分子在三維空間中按照一定的周期性排列而形成的固體。這種有序的排列賦予晶體特
原子層沉積(ALD)是一種能夠從氣相中沉積各種薄膜材料的技術(shù)。原子層沉積在新興的半導體和能源轉(zhuǎn)換技術(shù)中顯示出巨大的前景。基于連續(xù)的自限性反應(yīng),ALD在高縱橫比結(jié)構(gòu)上提供了出色的保形性,在埃級的厚度控制
全球數(shù)字經(jīng)濟發(fā)展如火如荼,半導體產(chǎn)業(yè)的支撐作用更加突出。物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、汽車電子、智能手機、智能穿戴、云計算、大數(shù)據(jù)和安防電子等應(yīng)用領(lǐng)域的強勁需求推動半導體產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴大,導致本輪半導體景氣周期超