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面議型號(hào)
熱絲CVD金剛石膜沉積設(shè)備HF450品牌
北京泰科諾產(chǎn)地
北京樣本
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設(shè)備名稱(chēng):熱絲 CVD 金剛石膜沉積設(shè)備
設(shè)備型號(hào):HF450
真空腔室結(jié)構(gòu):立式前開(kāi)門(mén)結(jié)構(gòu),后置抽氣系統(tǒng),雙層水冷
真空腔室尺寸:Φ450mmxH500mm
真空系統(tǒng):復(fù)合分子泵高真空系統(tǒng)
基片臺(tái)尺寸:Φ100mm
襯底溫度:600 ~ 1100℃
電源:專(zhuān)用熱絲電源 400A, 恒流或恒功率模式
氣路控制:4 路氣體流量控制
控制方式:PLC 觸摸屏控制
占地面積:主機(jī) L1200mm×W1060mm×H1900mm
總功率:≥ 20kW
暫無(wú)數(shù)據(jù)!
磁控濺射設(shè)備的主要用途:1.功能性薄膜:具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜;2.裝飾領(lǐng)域:各種全反射膜及半透明膜等;3.微電子領(lǐng)域:在微電子領(lǐng)域作為一種非熱式鍍膜技術(shù),主要應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積
什么是鈣鈦礦鈣鈦礦(perovskite),這個(gè)有點(diǎn)拗口的名字取自俄羅斯礦物學(xué)家Perovski,作為光伏材料的鈣鈦礦,實(shí)際上和鈣、鈦、礦三個(gè)字都沒(méi)太大關(guān)系,這是一類(lèi)與鈣鈦礦(CaTiO3)晶體結(jié)構(gòu)類(lèi)
熱絲CVD采用高溫下的低壓氣相反應(yīng),碳?xì)浠衔镌诟邷叵掳l(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成膜先驅(qū)物,當(dāng)樣品溫度合適時(shí),這些膜先驅(qū)物在樣品表面沉積形成金剛砂膜。低壓化學(xué)氣相沉積形成的膜層厚度及成分較為均勻,膜層致密。CV
多晶硅和單晶硅都是半導(dǎo)體材料,是電子工業(yè)中非常重要的材料,但它們的制備工藝、物理性質(zhì)以及應(yīng)用領(lǐng)域有所不同。晶體是由原子、離子或分子在三維空間中按照一定的周期性排列而形成的固體。這種有序的排列賦予晶體特
原子層沉積(ALD)是一種能夠從氣相中沉積各種薄膜材料的技術(shù)。原子層沉積在新興的半導(dǎo)體和能源轉(zhuǎn)換技術(shù)中顯示出巨大的前景?;谶B續(xù)的自限性反應(yīng),ALD在高縱橫比結(jié)構(gòu)上提供了出色的保形性,在埃級(jí)的厚度控制
全球數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展如火如荼,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的支撐作用更加突出。物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、汽車(chē)電子、智能手機(jī)、智能穿戴、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)和安防電子等應(yīng)用領(lǐng)域的強(qiáng)勁需求推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大,導(dǎo)致本輪半導(dǎo)體景氣周期超