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NMC 508RIE為電容耦合等離子體干法刻蝕機，適用6/8英寸介質(zhì)層刻蝕工藝，具有高刻蝕速率和均勻性，工藝類型覆蓋前道和后道所有介質(zhì)刻蝕。該機臺為多腔室集群設(shè)備，可全自動并行工藝、易維護、性能穩(wěn)定、產(chǎn)能高、客戶擁有成本低。
設(shè)備特點
?多頻CCP模式，工藝窗口不
?高刻蝕速率和高刻蝕均勻性
?低擁有成本、低運營成本
產(chǎn)品應(yīng)用
?晶圓尺寸：6/8 英寸兼容
?適用材料：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅
?適應(yīng)工藝：鈍化層、硬掩膜、接觸孔、導(dǎo)線孔、側(cè)襯、自對準、回刻等刻蝕
?適用領(lǐng)域：集成電路、化合物半導(dǎo)體、功率半導(dǎo)體、科研領(lǐng)域