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本期帶來的是一篇PicoFemto原位樣品桿在新一代半導體器件研發(fā)中的應用，場效應晶體管在半導體行業(yè)有著廣泛的應用。其中，由壓電材料（氧化鋅等）作為門控的場效應管在近年獲得了廣泛關注。本文利用STM-TEM原位樣品桿搭載單根氧化鋅納米線，并在TEM中原位操縱、測量和觀測。研究表明，當我們使用STM探針對氧化鋅納米線施加2.63%的應力后，該材料的電導率會驟降2個數(shù)量級。結合TEM的觀測結果我們發(fā)現(xiàn)，這種電導率的變化與接觸點處肖克力勢壘無關，而是源自氧化鋅納米線橫向壓電潛能帶來的載流子損耗。相關研究由日本NIMS、中科院物理所和量子物質合作創(chuàng)新中心共同完成，成果發(fā)表在《Nano Energy》上（Nano Energy （2015）13， 233-239）。

   澤攸科技的PicoFemto原位樣品桿在該研究中穩(wěn)定而精確地實現(xiàn)了搭載樣品、電學測量以及施加應力的任務。

   氧化鋅納米線一端被固定在金針上，另一端通過鎢針對其施加應力。

    理論模型對實驗結果的支持

   應用器件模型