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傳統(tǒng)的光刻技術(shù)在制備2D材料/Si異質(zhì)結(jié)時(shí)存在一些局限性，包括復(fù)雜的多步驟工藝、對(duì)襯底的損傷以及難以實(shí)現(xiàn)高精度圖案化。此外，如何在同一襯底上實(shí)現(xiàn)不同材料的精確堆疊和界面優(yōu)化，以獲得最佳的光電性能，也是一個(gè)技術(shù)難題。

針對(duì)以上問(wèn)題，電子科技大學(xué)電子薄膜與集成器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室李春教授課題組利用了澤攸科技的無(wú)掩膜光刻機(jī)成功制備了PtTe2/WS2/金字塔狀Si異質(zhì)結(jié)構(gòu)光探測(cè)器。該探測(cè)器具有半共形界面，表現(xiàn)出了極高的響應(yīng)度（1.1A/W）、快速響應(yīng)速度（上升時(shí)間53μs，衰減時(shí)間64μs）和大的線性動(dòng)態(tài)范圍（72dB）。

相關(guān)研究成果以"PtTe2/WS2/Pyramidal-Si van der Waals Heterojunction with Semiconformal Interfaces toward High-Performance Photodetectors"發(fā)表在了著名期刊《ACS Photonics》上。

接著研究人員利用濕法轉(zhuǎn)移技術(shù)將單層WS2薄膜精確地放置在金字塔狀Si結(jié)構(gòu)上，之后通過(guò)磁控濺射技術(shù)在WS2薄膜上沉積Pt薄膜，并通過(guò)等離子體增強(qiáng)碲化過(guò)程將其轉(zhuǎn)化為PtTe2，完成了異質(zhì)結(jié)構(gòu)的構(gòu)建。

PtTe2/WS2/金字塔狀硅異質(zhì)結(jié)構(gòu)的光電檢測(cè)性能

研究表明，所制備的PtTe2/WS2/金字塔狀Si異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器展現(xiàn)出了優(yōu)異的性能，包括高響應(yīng)度、快速響應(yīng)速度和大線性動(dòng)態(tài)范圍。這些特性的實(shí)現(xiàn)，部分歸功于無(wú)掩膜光刻技術(shù)在精確圖案化方面的貢獻(xiàn)。

在本研究中，澤攸科技的無(wú)掩膜光刻機(jī)在制備高性能PtTe2/WS2/金字塔狀Si異質(zhì)結(jié)構(gòu)光探測(cè)器方面發(fā)揮了重要作用，為二維材料與硅基異質(zhì)結(jié)構(gòu)光探測(cè)器的研究提供了新思路，其特點(diǎn)有：

1、納米壓電位移臺(tái)拼接技術(shù)：該技術(shù)使得設(shè)備在進(jìn)行精細(xì)圖案加工時(shí)，能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的定位和拼接，這對(duì)于制造高性能MEMS器件至關(guān)重要。

2、紅光引導(dǎo)曝光：配備的紅光引導(dǎo)系統(tǒng)使得操作者能夠直觀地觀察到曝光區(qū)域，提高了加工的準(zhǔn)確性和操作的直觀性。

3、所見(jiàn)即所得：操作界面設(shè)計(jì)直觀，用戶可以實(shí)時(shí)觀察到加工過(guò)程和結(jié)果，確保了加工的精確性和重復(fù)性。

4、OPC修正算法：內(nèi)置的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正（OPC）算法能夠?qū)饪踢^(guò)程中可能出現(xiàn)的圖形失真進(jìn)行修正，優(yōu)化了圖形質(zhì)量，提高了加工的準(zhǔn)確性。

5、CCD相機(jī)逐場(chǎng)自動(dòng)聚焦：配備的CCD相機(jī)能夠?qū)崿F(xiàn)逐場(chǎng)自動(dòng)聚焦，確保了在不同場(chǎng)次的加工過(guò)程中，圖像的清晰度和聚焦精度。

6、灰度勻光技術(shù)：通過(guò)精確控制曝光光源的分布，實(shí)現(xiàn)了更加均勻的曝光效果，這對(duì)于提高圖案的一致性和質(zhì)量至關(guān)重要。