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電阻蒸發(fā)鍍膜設備ZHDS400品牌
北京泰科諾產地
北京樣本
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設備型號：ZHDS400
鍍膜方式：金屬 + 有機蒸發(fā)
真空腔室結構：SUS304 方箱式，配有前、后門
真空腔室尺寸：L400mmxW440mmxH450mm
加熱溫度：室溫-300℃（選配）
基片臺尺寸：抽屜式:120mmx120mm可旋轉、升降、水冷
膜厚不均勻性：≤±5.0%（120mmx120mm范圍內）
蒸發(fā)源：金屬 2 組 + 有機 4 組或更多，有機配溫控式加熱電源，金屬電源 （國產或進口）
晶振膜厚監(jiān)控儀：國產或進口（可選）
控制方式：PLC/PC 控制 ( 可選 )
占地面積：L2500mmxW1600mmxH1900mm( 不含手套箱 )
總功率：≥ 10kW 三相五線制
1. 技術先進、設計優(yōu)化，性價比高，性能穩(wěn)定，使用維護成本低；
2. 廣泛應用于鈣鈦礦太陽能電池/OPV有機太陽能電池等各種膜層的制備；
如：鈣鈦礦層、電子傳輸層及背電極等膜層的制備
暫無數(shù)據！
磁控濺射設備的主要用途：1.功能性薄膜：具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜；2.裝飾領域：各種全反射膜及半透明膜等；3.微電子領域：在微電子領域作為一種非熱式鍍膜技術，主要應用在化學氣相沉積
什么是鈣鈦礦鈣鈦礦（perovskite），這個有點拗口的名字取自俄羅斯礦物學家Perovski，作為光伏材料的鈣鈦礦，實際上和鈣、鈦、礦三個字都沒太大關系，這是一類與鈣鈦礦（CaTiO3）晶體結構類
熱絲CVD采用高溫下的低壓氣相反應，碳氫化合物在高溫下發(fā)生化學反應，生成膜先驅物，當樣品溫度合適時，這些膜先驅物在樣品表面沉積形成金剛砂膜。低壓化學氣相沉積形成的膜層厚度及成分較為均勻，膜層致密。CV
多晶硅和單晶硅都是半導體材料，是電子工業(yè)中非常重要的材料，但它們的制備工藝、物理性質以及應用領域有所不同。晶體是由原子、離子或分子在三維空間中按照一定的周期性排列而形成的固體。這種有序的排列賦予晶體特
原子層沉積（ALD）是一種能夠從氣相中沉積各種薄膜材料的技術。原子層沉積在新興的半導體和能源轉換技術中顯示出巨大的前景?；谶B續(xù)的自限性反應，ALD在高縱橫比結構上提供了出色的保形性，在埃級的厚度控制
全球數(shù)字經濟發(fā)展如火如荼，半導體產業(yè)的支撐作用更加突出。物聯(lián)網、人工智能、汽車電子、智能手機、智能穿戴、云計算、大數(shù)據和安防電子等應用領域的強勁需求推動半導體產業(yè)規(guī)模不斷擴大，導致本輪半導體景氣周期超
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