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作為中微**代電介質刻蝕產品，Primo DRIE?是12英寸雙反應臺多反應腔主機系統(tǒng)，可靈活裝置多達三個雙反應臺反應腔（六個反應臺）。每個反應腔都可以同時加工兩片晶圓。該設備運用了中微具有自主知識產權的創(chuàng)新技術，包括甚高頻和低頻混合射頻去耦合反應等離子體源、等離子體隔離環(huán)、以及用于控制腔體內反應環(huán)境的先進工藝組件。Primo DRIE刻蝕設備可用于加工包括氧化硅、氮化硅及低介電系數膜層等所有的電介質材料。Primo DRIE于2007年發(fā)布之后，由于其較低的生產成本、較高的生產效率和優(yōu)異的芯片加工性能，已在國際主流芯片生產線上投入量產。
雙反應臺腔體設計具有更高的產出效率
雙反應臺獨立射頻系統(tǒng)和刻蝕終端控制系統(tǒng)
擁有自主知識產權的射頻匹配系統(tǒng)
擁有自主知識產權的等離子體隔離技術
競爭優(yōu)勢
高生產效率，低生產成本（CoO）
設備占地面積小
一體整合的除膠能力及表面電荷減除能力（Primo iDEA?系統(tǒng)）
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