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Primo TSV? 高性能、高產(chǎn)能的深硅刻蝕設(shè)備
Primo TSV? 高性能、高產(chǎn)能的深硅刻蝕設(shè)備

參考價(jià)格

面議

型號(hào)

Primo TSV? 高性能、高產(chǎn)能的深硅刻蝕設(shè)備

品牌

中微公司

產(chǎn)地

上海

樣本

暫無
中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司

高級(jí)會(huì)員

|

第1年

|

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硅通孔技術(shù)已經(jīng)成為先進(jìn)封裝應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù),應(yīng)用于CMOS圖像傳感器、2.5D、三維芯片和芯片切割等領(lǐng)域。Primo TSV?是中微推出的首款用于高性能硅通孔刻蝕應(yīng)用的高密度等離子體硅通孔刻蝕設(shè)備。每臺(tái)系統(tǒng)可配置多達(dá)三個(gè)雙反應(yīng)臺(tái)的反應(yīng)腔。每個(gè)反應(yīng)腔可同時(shí)加工兩片晶圓。中微提供的8英寸和12英寸硅通孔刻蝕設(shè)備,均可刻蝕孔徑從低至1微米以下到幾百微米、深度可達(dá)幾百微米的孔洞,并具有工藝協(xié)調(diào)性,可根據(jù)客戶的需求產(chǎn)生不同的刻蝕形狀(例如垂直、圓錐形和錐形等)。Primo TSV還具有多種新穎的功能,諸如預(yù)熱反應(yīng)臺(tái)、晶圓邊緣保護(hù)環(huán)、低頻射頻脈沖、側(cè)引入氣體均勻化技術(shù)等,為TSV應(yīng)用提供所需的高技術(shù)、靈活性和生產(chǎn)能力。
硅通孔技術(shù)已經(jīng)成為先進(jìn)封裝應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù),應(yīng)用于CMOS圖像傳感器、2.5D、三維芯片和芯片切割等領(lǐng)域。Primo TSV?是中微推出的首款用于高性能硅通孔刻蝕應(yīng)用的高密度等離子體硅通孔刻蝕設(shè)備。每臺(tái)系統(tǒng)可配置多達(dá)三個(gè)雙反應(yīng)臺(tái)的反應(yīng)腔。

Primo TSV?

高性能、高產(chǎn)能的深硅刻蝕產(chǎn)品

產(chǎn)品特點(diǎn)

電感式耦合高密度等離子體源的雙反應(yīng)臺(tái)刻蝕腔

高功率射頻等離子體源,并具有連續(xù)或脈沖的射頻偏壓

具有快速氣體轉(zhuǎn)換的內(nèi)置氣箱

晶圓邊緣保護(hù)環(huán)

制程終端光學(xué)控制系統(tǒng)

可調(diào)節(jié)的雙發(fā)射天線

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)



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易用性

10分

性價(jià)比

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Primo TSV? 高性能、高產(chǎn)能的深硅刻蝕設(shè)備信息由中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司為您提供,如您想了解更多關(guān)于Primo TSV? 高性能、高產(chǎn)能的深硅刻蝕設(shè)備報(bào)價(jià)、型號(hào)、參數(shù)等信息,歡迎來電或留言咨詢。
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