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Primo AD-RIE?第二代電介質(zhì)刻蝕設(shè)備品牌
中微公司產(chǎn)地
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Primo AD-RIE?是中微第二代電介質(zhì)刻蝕產(chǎn)品?；谝驯徽J(rèn)可的Primo D-RIE?刻蝕設(shè)備，Primo AD-RIE應(yīng)用了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新設(shè)計(jì)，配備了可切換雙低頻射頻源，優(yōu)化了上電極氣流分布以及下電極溫控系統(tǒng)。為了優(yōu)化生產(chǎn)效率，Primo AD-RIE系統(tǒng)同樣可以靈活地裝置多達(dá)三個(gè)雙反應(yīng)臺(tái)反應(yīng)腔（即六個(gè)反應(yīng)臺(tái)）。Primo AD-RIE具備能夠滿(mǎn)足新一代芯片器件制造需求的先進(jìn)性能，目前已被廣泛應(yīng)用于40到14納米后段制程。
此外，中微基于Primo AD-RIE開(kāi)發(fā)了子系列產(chǎn)品Primo AD-RIE-e和Primo AD-RIE-cr。Primo AD-RIE-e配備了自主研發(fā)的四區(qū)動(dòng)態(tài)靜電吸盤(pán)，每一制程步驟可獨(dú)立進(jìn)行控溫，以達(dá)到更高的刻蝕均勻度和刻蝕選擇比，目前已應(yīng)用于5納米前段和中段的掩膜層刻蝕的開(kāi)發(fā)及量產(chǎn)。Primo AD-RIE-cr配備了擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)涂層技術(shù)的抗腐蝕反應(yīng)腔，可應(yīng)對(duì)電介質(zhì)材料、金屬及金屬氧化物材料復(fù)雜結(jié)構(gòu)的刻蝕要求。
雙反應(yīng)臺(tái)腔體設(shè)計(jì)具有更高的產(chǎn)出效率
雙低頻功率切換系統(tǒng)，用于制程分步驟優(yōu)化
脈沖射頻系統(tǒng)選項(xiàng)
多區(qū)氣體分配調(diào)節(jié)系統(tǒng)
靜電吸盤(pán)雙區(qū)冷卻裝置
低金屬污染工藝組件選項(xiàng)
每一步驟可獨(dú)立進(jìn)行控溫的四區(qū)動(dòng)態(tài)靜電吸盤(pán) （Primo AD-RIE-e）
擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)涂層技術(shù)的抗腐蝕反應(yīng)腔 （Primo AD-RIE-cr）
一體整合的除膠能力及表面電荷減除能力 （Primo iDEA?系統(tǒng)）
雙低頻率分步驟切換系統(tǒng)，以適用于更廣的制程范圍（特別是Trench/Via All-in-one制程） 優(yōu)異的工藝可調(diào)性和穩(wěn)定性，以滿(mǎn)足先進(jìn)工藝標(biāo)準(zhǔn) 高生產(chǎn)效率，低生產(chǎn)成本（CoO） 擴(kuò)展機(jī)型Primo AD-RIE-e, Primo AD-RIE-cr 和 Primo iDEA?，可應(yīng)用于不同特殊制程競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)
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